特許

J-GLOBAL ID：200903027382944381

アクティブマトリクス基板

発明者： 猪野 益充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203106
公開番号（公開出願番号）：特開平6-027492
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス基板に形成されたトレンチ型補助容量及びトレンチ型薄膜トランジスタの電極パタンエッチング残りを防止する。【構成】 アクティブマトリクス基板4はマトリクス状に配列された画素電極1とこの画素電極に接続された薄膜トランジスタ2とこの薄膜トランジスタ2を介して電荷を保持する為の補助容量3とを備えている。補助容量3は、基板4の主表面に形成されたトレンチ5の内壁に沿い且つ主表面上にまで連続して形成された第1ポリシリコン層6と、この第1ポリシリコン層6上に形成された誘電膜7と、この誘電膜7上に形成された第2ポリシリコン層8とからなるとともに、前記主表面上に形成された第1ポリシリコン層6の領域16が、前記トレンチ5の開口部17を包含する面積寸法を有する。又、薄膜トランジスタ2についてはトレンチ9の底面部に形成された第1ポリシリコン層6の少なくとも1辺18が前記トレンチの底面端部19より内側にある。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にマトリクス状に配列された画素電極とこの画素電極に接続された薄膜トランジスタとこの薄膜トランジスタを介して電荷を保持する為の補助容量とを備えたアクティブマトリクス基板において、前記補助容量が、前記絶縁基板の主表面に形成された溝の内壁に沿い且つ主表面上にまで連続して形成された第1の電極層と、この第1の電極層上に形成された誘電膜と、この誘電膜上に形成された第2の電極層とからなるとともに、前記主表面上に形成された第1の電極層の領域が、前記溝の開口部を包含する面積寸法を有する事を特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-081262
  
• 特開平4-367828
  
• 溝付きガラス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-060112   出願人：シャープ株式会社