半導体回路、表示装置及び電子機器

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-005816
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193624
出願日： 2004年01月13日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】本発明は、低比抵抗を有し、400度以上の加熱工程に十分耐えうる電極構造の必要に応じ、新規な電極構造を有する半導体回路を提供するものである。【解決手段】基板上に形成された積層構造のゲート電極と、そのゲート電極の上面及び側面並びに前記基板を覆う保護膜と、その保護膜を覆って形成されたゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上に形成された半導体膜とを有する構成とすることによって、ゲート電極は酸化されずに低抵抗に維持することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された積層構造のゲート電極と、前記ゲート電極の上面及び側面並びに前記基板を覆う保護膜と、前記保護膜を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜とを有する半導体素子を用いた半導体回路。

IPC (7件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/20 , H01L21/3205 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (8件)：

H01L29/78 617L , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , H01L21/20 , H01L29/78 617U , H01L29/78 619A , H01L29/58 G , H01L21/88 R

Fターム (191件)：

2H092GA12 , 2H092GA25 , 2H092GA29 , 2H092GA34 , 2H092GA40 , 2H092GA50 , 2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JA41 , 2H092JA47 , 2H092JB24 , 2H092JB31 , 2H092JB42 , 2H092JB51 , 2H092JB61 , 2H092KA04 , 2H092KA12 , 2H092KB04 , 2H092KB22 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA02 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA12 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA25 , 2H092NA28 , 2H092QA06 , 2H092QA08 , 2H092QA09 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB24 , 4M104BB26 , 4M104BB28 , 4M104BB29 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC05 , 4M104DD79 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG10 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5C094AA04 , 5C094AA13 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EB02 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB01 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH22 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH29 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033KK08 , 5F033KK18 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK29 , 5F033KK30 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ83 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS25 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX10 , 5F033XX20 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BA04 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052FA06 , 5F052GB06 , 5F110AA03 , 5F110AA23 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF40 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-091443 出願人：ソニー株式会社
表示用薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-104746 出願人：ソニー株式会社
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-317141 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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