特許
J-GLOBAL ID：200903050587077623

半導体装置及びその製造方法

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-091443
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283761
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 結晶性の改善、リーク電流の低減により、大きなドレイン電流を得ることのできる多結晶シリコンを用いた半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 絶縁性基板11上に当接して設けられたゲート電極12とゲート絶縁部13aを介して接合するゲート領域G1、G2と、ソース電極15に接合したソース領域S1と、ドレイン電極16に接合したドレイン領域D1とを有した多結晶シリコン層14のゲート領域G1、G2内に、ソース領域S1とドレイン領域D1とを設ける。このような構造の半導体装置とする際には、ゲート絶縁部13aと保護用絶縁膜19とに非晶質シリコン層14’を挟んだ状態で、該非晶質シリコン層14’を溶融固化して多結晶シリコン層14とする。
請求項（抜粋）：
ゲート電極とゲート絶縁部を介して接合するゲート領域と、ソース電極に接合するソース領域と、ドレイン電極に接合するドレイン領域とを有した半導体層を絶縁性基板の上に形成し、前記半導体層の前記ゲート領域内の前記ゲート絶縁部側にチャンネルが形成される半導体装置において、前記半導体層の前記ゲート領域内に、前記ソース領域と、前記ドレイン領域とが設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (10件)
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