特許

J-GLOBAL ID：200903027432765904

半導体装置の製造方法

発明者： 石原 康生 ,  山下 秀一 ,  佐藤 一雄 ,  式田 光宏 ,  千田 厚慈
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315425
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319684
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 ダイヤフラム等の凹部の形成のための工数を簡略化できると共に、凹部形成のためのエッチングに対するウェハへの処理の煩雑化を無くせ、かつ、凹部内壁面の曲率が大きくなり過ぎないようにする。【解決手段】 シリコン基板1のうち、ダイヤフラムを形成する予定の領域に対し、先端形状が例えば三角錐の物体を用いて圧力を加える。その後、ダイヤフラム形成のためのエッチングを施す。これにより、圧力が加えられた部分において、その部分を中心とした丸みを帯びた凹部3が形成される。この凹部3をダイヤフラムとして使用する。

請求項（抜粋）：

半導体材料(1)の主表面に凹部(3)が形成される半導体装置の製造方法において、前記半導体材料の主表面の任意の部位に、物体(4)を押し当てることによって圧力を加え、その後、前記主表面に対してエッチングを施すことで、前記主表面のうち圧力を加えた部位に前記凹部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/84 ,  B81C 1/00 ,  G01L 9/00 ,  G01P 15/08 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 29/84 Z ,  B81C 1/00 ,  G01L 9/00 Z ,  G01P 15/08 Z ,  H01L 21/306 B

Fターム (24件)：

2F055AA40 ,  2F055BB16 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE40 ,  2F055FF38 ,  2F055GG01 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112CA03 ,  4M112CA05 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA20 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD02 ,  5F043FF01 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 太陽電池加工用薬液の製造方法、及び太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-157920   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭53-081066
  
• 微細加工方法及びこの方法で加工された加工物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-095499   出願人：藤平正道, 大日本印刷株式会社