特許

J-GLOBAL ID：200903027436899719

非揮発性強誘電体キャパシタ及び非揮発性強誘電体メモリ

発明者： 廬 泰元 ,  朴 培昊 ,  姜 保守 ,  夫 相敦
出願人/特許権者： 盧 泰元
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060909
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260960
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 積層型ペロブスカイト強誘電体薄膜を有する非揮発性強誘電体キャパシタ及びそれを備える非揮発性強誘電体メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の非揮発性強誘電体キャパシタは、Bi4Ti3O12(BTO)の揮発性元素であるビスマスの一部を、ランタニウム(La)等の非揮発性元素Aに置換して得られたBi4-XAXTi3O12薄膜を備える。積層型ペロブスカイト構造を有するBi4-XAXTi3O12のA元素は、ペロブスカイト層内における酸素空乏(oxygen vacancy)の発生を効果的に抑制して、優れた疲労特性と高い分極値を可能とする。

請求項（抜粋）：

Bi4-XAXTi3O12の化学式で表わす積層型ぺロブスカイト強誘電体薄膜を備える非揮発性強誘電体キャパシタであって、上記Aは非揮発性元素であり、少なくとも上記Aの一部が、上記強誘電体薄膜のペロブスカイト層のA-サイトを占め、上記xは0より大きく4より小さい値を有することを特徴とする非揮発性強誘電体キャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体薄膜構成体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-079535   出願人：住友金属鉱山株式会社