特許

J-GLOBAL ID：200903027438301632

シリコンウエハの温度測定方法

発明者： 野村 俊行 ,  上坂 博二 ,  松本 直之 ,  大須賀 直博
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (1件)： 藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-377321
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180286
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】 Siウエハの品質低下や特性劣化を伴うことなく、200°C以下の低温条件下においても、Siウエハの表面温度を正確に測定することができるSiウエハの温度測定方法を提供する。【解決手段】 Siウエハ1の加工表面1aの反対側の面1bに、SiOまたはSiO2 からなる酸化膜2を0.3μm以上、好ましくは1.0〜2.0μmの範囲の厚さに形成し、その酸化膜2から放射される赤外光のうち、波長範囲が9〜10μmの放射赤外光を赤外線放射温度計3に入射させることにより、その赤外光の放射エネルギー量からSiウエハ1の加工表面温度を測定する。 【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

シリコンウエハの表面からその温度に応じて放射される赤外光の放射エネルギー量を測定してシリコンウエハの表面温度を測定する方法であって、 前記シリコンウエハの表面に、酸化膜または窒化膜を形成し、この膜の光吸収領域における赤外放射率を90%以上になるよう膜厚を確保するとともに、この酸化膜または窒化膜から放射される前記波長域の赤外光の放射エネルギー量を測定して前記シリコンウエハの表面温度を測定することを特徴とするシリコンウエハの温度測定方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (1件)：

H01L21/66 T

Fターム (6件)：

4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106BA08 ,  4M106CA31 ,  4M106DH02 ,  4M106DH13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-131876   出願人：株式会社日立製作所
• 特公平6-091144