半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-188306
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017777
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】ポリイミドバッファーコートを適用するEPROM内蔵の集積回路のポリイミドのポジレジスト現像液によるパターニングにおいて、ポリイミド残りによる紫外線消去不良を無くす。【構成】ポリイミド膜をバッファコートに適用する集積回路基板において、ポジレジストの現像液をポリイミドのパターン加工に使用するとき、ポリイミドの加工後にフォトレジストを除去せずに、熱処理してポリイミドを硬化し、レジストをマスクに酸素プラズマにより、開口部のポリイミド残りを除去し、ポリイミド樹脂の酸素プラズマからのダメージを最小限に抑えつつ、段部のポリイミド樹脂のエッチング残りを除去出来るため、EPROM等の光の透過性が必要なデバイスへの適用に大きな効果がある。

請求項（抜粋）：

ポリイミドをバッファーコートに適用する半導体装置において、ポジレジストの現像液を用いてポリイミドのパターン加工に用いる際に、ポリイミド前駆体樹脂とポジレジストを現像及びエッチングによりパターン加工した後に、前記ポジレジストを引き続き残した状態で熱処理を行ない前記ポリイミド前駆体樹脂を硬化させ、前記ポジレジストと、ポリイミドのエッチング残渣とを、前記ポジレジストをマスクにドライエッチングにより除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027 , H01L 21/312 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 31/02

FI (6件)：

H01L 21/302 J , H01L 21/312 B , H01L 21/30 572 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371 , H01L 31/02 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-084117
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-203810 出願人：株式会社東芝

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