特許
J-GLOBAL ID:200903027483103566

貴金属コロイド分散層を有する基板及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-092602
公開番号(公開出願番号):特開平11-271981
出願日: 1998年03月20日
公開日(公表日): 1999年10月08日
要約:
【要約】【解決手段】 還元性を有するケイ素系高分子化合物に貴金属の塩を接触、還元させることにより得られた上記貴金属のコロイドが分散されたケイ素系高分子化合物層を有することを特徴とする基板。【効果】 本発明の貴金属コロイド分散ケイ素系高分子化合物層を有する基板は、優れた光学的機能を有するものであり、本発明によれば、簡便かつ迅速なる工程により、貴金属コロイドを含有したパターンをコートした基板を得ることができ、非線形光学特性等各種光学機能性を持つ光学素子やセンサー等各種電子機能性を持つ電子素子等に応用可能な有用な高分子コート基板を得ることができる。
請求項(抜粋):
還元性を有するケイ素系高分子化合物に貴金属の塩を接触、還元させることにより得られた上記貴金属のコロイドが分散されたケイ素系高分子化合物層を有することを特徴とする基板。
IPC (8件):
G03F 7/11 503 ,  C09D183/05 ,  C09D183/16 ,  G03F 7/075 511 ,  H01B 1/00 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 51/00
FI (8件):
G03F 7/11 503 ,  C09D183/05 ,  C09D183/16 ,  G03F 7/075 511 ,  H01B 1/00 Z ,  H01B 5/14 Z ,  H01B 13/00 503 A ,  H01L 29/28
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る