特許
J-GLOBAL ID：200903027490076280

バイポーラトランジスタ及びその製造方法

発明者：
三輪 浩之

三輪 浩之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-229612
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097223
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】エミッタ-ベース間の耐圧を向上させた高性能、高信頼性のバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板1に形成された第1不純物拡散層3aと、第1拡散層3aに接続された第1導電膜3と、第1導電膜3に配された開口部10と、開口部10に露出した半導体基板1に形成され第1拡散層3aと接続した第2不純物拡散層11と、第2拡散層11を内部に含むように形成された第3不純物拡散層12と、開口部10側壁に形成されたサイドウォール7aと、サイドウォール7aで挟まれた開口部の第3拡散層12内に第4不純物拡散層9を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された第1導電型の第1不純物拡散層と、上記第1不純物拡散層に接続された第1導電膜と、上記第1導電膜に形成された開口部と、上記開口部に露出した上記半導体基板の少なくとも一部に形成され且つ上記第1不純物拡散層と接続された第1導電型の第2不純物拡散層と、上記第2不純物拡散層を内部に含むように形成された第1導電型の第3不純物拡散層と、上記開口部側壁に形成された絶縁膜からなるサイドウォールと、上記サイドウォールで挟まれた開口部に露出した上記半導体基板の少なくとも一部に形成され、上記第3不純物拡散層内に形成された第2導電型の第4不純物拡散層を有し、上記第2不純物拡散層が上記第4不純物拡散層と略同等もしくはそれ以下の接合深さを有し、しかも上記第2不純物拡散層の表面不純物濃度が上記第3不純物拡散層の表面不純物濃度と同等以上の濃度であることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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