特許
J-GLOBAL ID：200903027501427005

半導体装置

発明者：
山本 良太

山本 良太 について

, 
中柴 康隆

中柴 康隆 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-054408
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244077
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 基板ノイズを遮蔽する効果が大きく専用の基準電位配線を必要としないガードリングを備えた半導体装置を提供する。 【解決手段】 P型シリコン基板1上における回路領域3の周囲の領域に絶縁膜8を設け、絶縁膜8上に、回路領域3を囲むように枠状の電極9を設ける。また、P型シリコン基板1の表面における電極9の直下域は、不純物を導入しないノンドープ領域とする。そして、電極9に正極の電源電位VGを印加する。これにより、P型シリコン基板1の表面における電極9の直下域に空乏層10が形成される。この結果、基板ノイズが遮蔽される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板の表面に形成された複数の回路領域と、前記半導体基板上における前記複数の回路領域間の領域に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられた電極と、を有し、前記電極には前記半導体基板の表面におけるこの電極の直下域に空乏層を形成して前記回路領域間に流れる電流を阻止するような電位が印加されることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/822 ,  H01L21/76 ,  H01L27/04
FI (2件)：
H01L27/04 H ,  H01L21/76 S
Fターム (18件)：
5F032AA01 ,  5F032AA34 ,  5F032AC04 ,  5F032BA01 ,  5F032BA08 ,  5F032BB01 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F038AV06 ,  5F038BH09 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CA05 ,  5F038CD02 ,  5F038DF01 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-013035   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-198120   出願人：沖電気工業株式会社
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-094667
  • 特開昭63-094667

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