特許
J-GLOBAL ID：200903087463823611

半導体装置

発明者：
丸山 公夫

丸山 公夫 について


出願人/特許権者：
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013035
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049286
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】高集積化、大規模化、アナログ回路とディジタル回路の混成化に適し、ノイズの多い環境における動作の信頼性が高い半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】素子形成領域4を含む半導体基板2と、半導体基板2内の素子形成領域4の周囲に形成され、正極電源端子VDDに接続され、素子形成領域4をシールドするN型ガードリング5と、N型ガードリング5の内部に形成され、負極電源端子VSSに接続されたP型拡散層6とを備えている。さらに、N型ガードリング5とP型拡散層6とが逆バイアスされてコンデンサ7を形成している。
請求項（抜粋）：
素子形成領域を含む半導体基板と、前記半導体基板内の前記素子形成領域の周囲に形成され、第1電源端子に接続され、前記素子形成領域をシールドする第1導電型の第1拡散層と、前記第1拡散層の内部に形成され、第2電源端子に接続された第2導電型の第2拡散層とを備え、前記第1拡散層と前記第2拡散層とが逆バイアスされてコンデンサを形成することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/92
FI (3件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 29/92 Z ,  H01L 27/06 311 Z
Fターム (16件)：
5F038AC01 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC06 ,  5F038AC20 ,  5F038AV06 ,  5F038BH09 ,  5F038BH19 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048CC05 ,  5F048CC19
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197350   出願人：株式会社東芝

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