特許
J-GLOBAL ID：200903027507293450
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-243900
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068759
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 バルクハウゼンノイズを抑制する。【解決手段】 磁化自由層である第2の磁性金属層4上に、非磁性金属層5と、反強磁性層6とを順次積層する。このことにより、磁化自由層を単磁区化し、磁壁が生じるのを防ぐことが可能になる。これにより、ヒステリシスを防止し、バルクハウゼンノイズを抑制する。
請求項（抜粋）：
一定の方向に磁化が固定されている磁化固定層と、上記磁化固定層上に形成されたトンネル障壁層と、上記トンネル障壁層上に形成され、磁化方向が自在に変化する磁化自由層とを備え、上記磁化自由層上に非磁性金属層が存在し、上記非磁性金属層上に導電性反強磁性層を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
