特許
J-GLOBAL ID：200903027509219576
レーザ加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 城戸 博兒
, 柴山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-056846
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191139
出願日： 2006年03月02日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】 半導体ウェハの表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェハである加工対象物1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより、加工対象物1に対して設定した切断予定ライン5に沿って加工対象物1の内部に溶融処理領域を形成し、その溶融処理領域を起点として加工対象物1の厚さ方向に向かって成長する割れを切断予定ライン5に沿って加工対象物1の表面及び裏面に到達させて、加工対象物1を複数のシリコンチップに分割する。【選択図】 図14
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記半導体ウェハに対して設定した切断予定ラインに沿って前記半導体ウェハの内部に溶融処理領域を形成し、その溶融処理領域を起点として前記半導体ウェハの厚さ方向に向かって成長する割れを前記切断予定ラインに沿って前記半導体ウェハの表面及び裏面に到達させて、前記半導体ウェハを複数の半導体チップに分割することを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301
, B23K 26/38
, B23K 26/40
, B28D 5/00
H01L21/78 B
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, B28D5/00 Z
3C069AA01
, 3C069BA08
, 3C069BB01
, 3C069CA05
, 3C069CA11
, 3C069EA04
, 4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068CA09
, 4E068CA11
, 4E068DA10
