特許
J-GLOBAL ID:200903027513790270

不揮発性メモリの製造システム及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-271487
公開番号(公開出願番号):特開平8-139208
出願日: 1994年11月04日
公開日(公表日): 1996年05月31日
要約:
【要約】【目的】ウエハ上のICチップに対して、情報の書き込みを直接行うことにより、ROM作成のためのマスクを用いないで、ROMを製造する。【構成】システムはデータの演算を行うデータ演算部31、データ演算部31で演算された結果に基づいて電子描画部33を制御する制御部32、及びウエハ3に電子ビームにて描画を行う電子描画部33とを備えている。データ演算部31は1ウエハ毎に対応して複数のバイナリコードを用意し、ウエハ及びウエハ上に形成されるICチップ毎の座標を生成する。データ演算部31は各バイナリコードから各ICチップ内での直描データを対応させ、バイナリコードデータを用いて直描パターンのためのデータを発生する。制御部32及び電子描画部33はこのパターンデータに基づいてウエハ上のICチップに電子ビームにて直描を行う。
請求項(抜粋):
1ウエハ毎に対応して複数のバイナリコードを用意するバイナリコード生成手段と、ウエハ及びウエハ上に形成されるICチップ毎の座標を生成する座標生成手段と、前記各バイナリコードを各ICチップ内での直描データに対応させる直描データ対応手段と、前記対応させたバイナリコードデータを用いて直描パターンのためのデータを発生するパターンデータ作成手段と、このパターンデータに基づいてウエハ上のICチップに電子ビームにて直接描画を行う電子描画手段と、を備えた不揮発性メモリの製造システム。
IPC (3件):
H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 27/10 433 ,  H01L 21/30 541 C
引用特許:
審査官引用 (3件)

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