特許
J-GLOBAL ID：200903027513893419
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030114
公開番号（公開出願番号）：特開平6-243698
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 複数の冗長メモリアレイを有する半導体記憶装置で、冗長アドレスプログラム回路のヒューズを切断しなくても、外部からの信号と内部アドレス信号により、任意の冗長メモリセルをテストできる半導体記憶装置を提供する。【構成】 分割された複数のメモリセルアレイと分割された複数の冗長メモリセルアレイから構成されている半導体記憶装置で、冗長メモリセルアレイが正常か否かをヒューズを切断せずに外部信号とアドレス信号とで制御できる冗長アドレスプログラム回路を有している。【効果】 本発明は冗長アドレスプログラム回路を外部制御信号と内部アドレス信号とで制御することにより、ヒューズを切断しなくても半導体記憶装置の複数の冗長メモリセルアレイをテストできる。
請求項（抜粋）：
メモリセルアレイと、冗長メモリセルアレイと、上記メモリセルアレイ内のメモリセルを選択するためのアドレスデコーダと、アドレス信号が印加されることにより上記冗長メモリセルアレイを選択するプログラム回路とを具備し、上記プログラム回路のヒューズを切断することにより特定の冗長メモリセルを選択する機能を有してなる半導体記憶装置であって、上記プログラム回路は上記ヒューズを切断する前にもそれぞれ異なるアドレス信号の組合せにより特定の冗長メモリセルを選択することを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
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