特許
J-GLOBAL ID:200903027527302316
誘導結合プラズマ処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-011845
公開番号(公開出願番号):特開2004-228182
出願日: 2003年01月21日
公開日(公表日): 2004年08月12日
要約:
【課題】高周波アンテナと処理室内に形成されるプラズマとの間に部分的に導電性部材を有しながら、プラズマ密度を低下させることなく所望のプラズマ均一性を得ることができ、均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合型プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】基板Gにプラズマ処理を施す誘導結合型プラズマ処理装置において、処理室の上部壁を構成する誘電体壁2に対応する部分に、処理室内に誘導電界を形成する高周波アンテナ13が設けられ、高周波アンテナ13と処理室4内に形成されるプラズマとの間に導電性部材11が設けられ、高周波アンテナ13は、導電性部材11と複数の交差部13bで交差するように設けられ、かつ、1以上の交差部13bにおける前記高周波アンテナ13の位置が複数の交差部13b以外における位置よりも高く構成される。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
誘導電界により処理ガスをプラズマ化して被処理基板にプラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理装置であって、
被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室の壁部の一部を構成する誘電体壁と、
前記誘電体壁を介して前記処理室外に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、
前記高周波アンテナと前記処理室内に形成されるプラズマとの間に設けられた導電性部材と
を具備し、
前記高周波アンテナは、前記導電性部材と複数の交差部で交差するように設けられ、かつ、前記交差部における前記高周波アンテナと前記誘電体壁と距離が、前記複数の交差部以外における前記高周波アンテナと前記誘電体壁との最短距離よりも大きいことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L21/3065
, B01J19/08
, H01L21/205
, H05H1/46
FI (4件):
H01L21/302 101C
, B01J19/08 H
, H01L21/205
, H05H1/46 L
Fターム (28件):
4G075AA30
, 4G075BC06
, 4G075DA02
, 4G075EB42
, 4G075EE40
, 4G075FA01
, 4G075FA12
, 4G075FC11
, 4G075FC15
, 5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004BD04
, 5F004BD05
, 5F004CA06
, 5F045AA08
, 5F045BB02
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EF05
, 5F045EH02
, 5F045EH04
, 5F045EH05
, 5F045EH11
, 5F045EH20
引用特許:
審査官引用 (2件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-264694
出願人:サーフェイステクノロジーシステムズリミテッド
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誘導結合プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-206764
出願人:東京エレクトロン株式会社
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