特許

J-GLOBAL ID：200903027534639644

半導体装置及びその製造方法

発明者： 石川 拓
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036424
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233448
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 上部配線と下部配線とを電気的に接続する金属柱と、下部配線相互間の容量を低減する空洞との接触を断つ。【解決手段】 基板1上に絶縁膜2を介して下部配線3を形成し、次に、下部配線3上にバイアスECR-CVD法を用いてシリコン酸化膜4a及び空洞5を形成する。空洞5の周囲をシリコン酸化膜4aで包囲し、空洞5と金属柱6との接触をシリコン酸化膜4aにより遮断する。

請求項（抜粋）：

第1の配線及び第2の配線と、配線接続部と、容量低減絶縁体と、隔離膜とを有する半導体装置であって、第1の配線及び第2の配線は、層間絶縁膜を介して積層されたものであり、配線接続部は、第1の配線と第2の配線とを電気的に接続したものであり、容量低減絶縁体は、隣接する第1の配線相互間の容量を低減するものであり、隔離膜は、容量低減絶縁体の周囲を包囲し、配線接続部との接触を断つものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/283 B ,  H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-318752
  
• 特開昭63-098134
  
• 半導体集積回路装置とその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-264140   出願人：ソニー株式会社