半導体集積回路装置とその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-264140
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125020
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】多層配線構造を有する半導体集積回路装置における層間絶縁層の低誘電率化と平坦化とを実現する。【構成】少なくとも第1の配線層L1 上に、第2の配線層L2 が層間絶縁層20を介して積層された多層配線構造を有する半導体集積回路装置において、層間絶縁層20が第1の配線層L1 の全表面に沿って被着された緻密な下地絶縁層1と、下地絶縁層1上の少なくとも第1の配線層L1 の配線間と第1の配線層L1を覆って形成され、多数の微細空隙を形成する微細空隙絶縁層2よりなる半導体集積回路装置。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1の配線層上に、第2の配線層が層間絶縁層を介して積層された多層配線構造を有する半導体集積回路装置において、上記層間絶縁層が、上記第1の配線層の配線間と上記第1の配線層上とを覆って形成され、微細空隙が形成された微細空隙絶縁層よりなることを特徴とする半導体集積回路装置。

FI (2件)：

H01L 21/90 J , H01L 21/90 M

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-109210 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-311059
特開昭63-208248

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