超微細パタン形成方法及び超微細エッチング方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸山隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-157287
公開番号（公開出願番号）：特開平9-236919
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】カリックスアレーン誘導体から成るネガティブレジストを用いて、ナノメータ・オーダのパターニングを行うことが可能な超微細パタン形成方法と、ナノメータ・オーダのエッチングを行うための超微細エッチング方法とを得る。【解決手段】高エネルギー線に感応し、溶剤に溶解する図1に示した5,11,17,23,29,35-ヘキサクロロメチル-37,38,39,40,41,42 -ヘキサメトキシカリックス[6] アレーンからなるレジスト膜をドライエッチングによりエッチング可能な基板上に形成し、選択的にある領域に高エネルギー線を照射し、残りの領域には照射しない。照射した領域は現像して基板上にパタンを画成し、残りの領域は溶剤により除去する。その後、パタン形成された基板に対してドライエッチングを行なう。ナノメータオーダのパターン形成及びエッチングをより短時間で行うことが可能である。

請求項（抜粋）：

溶媒に可溶で高エネルギー線に感光する5,11,17,23,29,35-ヘキサクロロメチル-37,38,39,40,41,42-ヘキサメトキシカリックス[6]アレーンから成るレジスト膜を形成し、前記高エネルギー線に前記レジスト膜の第1の領域を露光させ、第2の領域は露光させず、前記溶媒で前記第2の領域を除去することにより前記第1の領域を現像してパタンを画成する超微細パタン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/038 505 , C09D165/00 PKT , C23F 1/00 102 , H01L 21/027 , H01L 21/302

FI (5件)：

G03F 7/038 505 , C09D165/00 PKT , C23F 1/00 102 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/302 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-015232
特開平4-128253
特開平4-155342

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