特許
J-GLOBAL ID：200903027598345830

二重仕事関数半導体デバイスの製造方法及びそのデバイス

発明者：
ユ・ホンユ

ユ・ホンユ について

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チャン・ショウ-ゼン

チャン・ショウ-ゼン について

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トマ・イグレク・ホフマン

トマ・イグレク・ホフマン について

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フィリップ・アブシル

フィリップ・アブシル について


出願人/特許権者：
アイメック

アイメック について

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タイワン・セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー・リミテッド

タイワン・セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー・リミテッド について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-104315
公開番号（公開出願番号）：特開2009-278083
出願日： 2009年04月22日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】金属ゲート電極を有する二重仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】該製造方法は、第1領域101及び第2領域102を有する基板100を設けること、第1領域に第1半導体トランジスタ107を作製すること、第2領域に第2半導体トランジスタ108を作製すること、第1サーマルバジェットを第1半導体トランジスタに備わる少なくとも第1ゲート誘電体キャッピング層114aに作用し、第2サーマルバジェットを第2半導体トランジスタに備わる少なくとも第2ゲート誘電体キャッピング層114bに作用すること、を備える。【選択図】図1H
請求項（抜粋）：
二重仕事関数半導体デバイスを製造する方法であって、 -第1領域(201)及び第2領域(202)を有する半導体基板(200)を設け、 -第1領域(201)に第1トランジスタ(207)を作製し、 第1トランジスタ(207)は、第1有効仕事関数(WF1eff)を有する第1ゲートスタック(231)を備え、 第1ゲートスタック(231)は、第1ゲート誘電体キャッピング層(214a)と、第1ゲート誘電体キャッピング層(214a)上でこれに接する第1金属ゲート電極層(215a)とを備え、 第1ゲート誘電体キャッピング層(214a)は、第1有効仕事関数(WF1eff)を決定し、 -第2領域(202)に第2トランジスタ(208)を作製し、 第2トランジスタ(208)は、第2有効仕事関数(WF2eff)を有する第2ゲートスタック(232)を備え、 第2ゲートスタック(232)は、第2ゲート誘電体キャッピング層(214b)と、第2ゲート誘電体キャッピング層(214b)上でこれに接する第2金属ゲート電極層(215b)とを備え、 第2金属ゲート電極層(215b)は、第1金属ゲート電極層(215a)と同じ金属組成からなり、 第2ゲート誘電体キャッピング層(214b)は、第1ゲート誘電体キャッピング層(214a)と同じ誘電体材料からなり、第2ゲート誘電体キャッピング層(214b)は、第2有効仕事関数(WF2eff)を決定し、第2有効仕事関数(WF2eff)は、第1有効仕事関数(WF1eff)と同じであり、 -第1サーマルバジェットを少なくとも第1ゲート誘電体キャッピング層(214a)に、第2サーマルバジェットを少なくとも第2ゲート誘電体キャッピング層(214b)に作用し、第1有効仕事関数(WF1eff)が第1最終有効仕事関数(WF1eff-final)へ変更されるように、第2有効仕事関数(WF2eff)が第2最終有効仕事関数(WF2eff-final)へ変更されるように、第1サーマルバジェットは、第2サーマルバジェットよりも小さく、第1最終有効仕事関数(WF1eff-final)は、第2最終有効仕事関数(WF2eff-final)とは異なる、 ことを特徴とする二重仕事関数半導体デバイスの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G ,  H01L21/283 B ,  H01L29/78 301G
Fターム (85件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB17 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104EE02 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA17 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB17 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG36 ,  5F140BG44 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK05 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CE18
引用特許：
出願人引用 (3件)

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