特許
J-GLOBAL ID：200903027602918441
薄膜および薄膜製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-005278
公開番号（公開出願番号）：特開2004-217973
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】微小粒子を分散させた薄膜形成において、その薄膜中の微小粒子の分散精度がよく、堆積速度が速く、組成コントロールの微調整が可能で設計自由度が増加する薄膜及び薄膜製造方法。【解決手段】スパッタリング法や化学気相成長法(CVD法)、真空蒸着法、イオンプレーティング法、PLD法、アークプラズマ法などの気相成長法において、薄膜形成中にチャンバーなどの反応槽中へ、微小粒子をキャリヤガスにより搬送させて導入、拡散させることで、薄膜内部に微小粒子が取り込まれつつ膜が堆積する。その結果、薄膜中に微小粒子が分散し、屈折率や導電性制御が可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
膜中に粒径1〜100nmの微小粒子を含む厚さ5〜5000nmの薄膜であって、前記薄膜の形成方法が気相成長法であることを特徴とする薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
2K009AA12
, 2K009CC09
, 2K009DD04
, 4K029BA50
, 4K029BA64
, 4K029BC08
, 4K029CA01
, 4K029CA03
, 4K029CA05
