特許

J-GLOBAL ID：200903027613067397

半導体装置及び高周波電力増幅器

発明者： 鯉森 俊行
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054994
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256850
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置及び高周波電力増幅器に関し、出力整合回路での電力消費を抑えることを目的とする。【解決手段】 高周波トランジスタ5とMIMキャパシタ9が集積化された半導体基板1上で該高周波トランジスタ5の出力端子と該MIMキャパシタ9の一端はボンディングワイヤ8によって接続され、該高周波トランジスタ5の出力は該MIMキャパシタ9の容量と該ボンディングワイヤ8のインダクタンスから成る第1の出力整合回路3を介して外部に取り出されるように構成する。

請求項（抜粋）：

高周波トランジスタとMIMキャパシタが集積化された半導体基板上で該高周波トランジスタの出力端子と該MIMキャパシタの一端がボンディングワイヤによって接続され、該高周波トランジスタの出力は該MIMキャパシタの容量と該ボンディングワイヤのインダクタンスから成る第1の出力整合回路を介して外部に取り出されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H03F 3/60 ,  H01L 21/60 301 ,  H01P 5/08

FI (3件)：

H03F 3/60 ,  H01L 21/60 301 A ,  H01P 5/08 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高周波増幅装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-160621   出願人：株式会社日立製作所
• 高周波電力増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-095129   出願人：株式会社日立製作所