特許
J-GLOBAL ID：200903027667175837
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-184521
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032331
出願日： 1996年07月15日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 縦型MOSトランジスタはゲート-ドレイン間のオン抵抗が高く、かつトレンチ内に形成するゲート酸化膜が要因とされるトランジスタ特性のばらつきや安定性の劣化が生じる。【解決手段】 縦型MOSトランジスタのチャネル領域およびゲート電極を形成するためのトレンチ106の底面近傍の電界緩和領域102に高濃度領域111が形成され、かつトレンチの内面に熱酸化膜107が形成される。高濃度領域111により、トランジスタのオン抵抗が低減される。また、トレンチ内面の熱酸化膜107は高濃度領域111によって底面107bの膜厚が側面107aの膜厚よりも厚く形成されるので、絶縁耐量を向上する一方で、膜厚の精度および信頼性が向上されることになり、トランジスタ特性のばらつきと安定性が高められる。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体装置基板上にドレイン領域としての低不純物濃度の第1の導電型の電界緩和領域と、第2の導電型のボディ領域と、高不純物濃度の第1の導電型のソース領域と、このソース領域と平面方向に接続される高不純物濃度の第2の導電型のバックゲート領域とが順次積層され、かつ前記ソース領域から前記電界緩和領域にまで達するトレンチが開設され、このトレンチは内面に沿って酸化膜が形成され、かつその内部には導電性のゲート電極が形成されてなる縦型MOSトランジスタを備え、前記電界緩和領域には前記トレンチ底面の近傍領域に高濃度領域が形成され、かつ前記トレンチ内面の酸化膜は熱酸化膜で形成され、かつその底面の膜厚は側面の膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 21/265 W
, H01L 29/78 652 K
