特許

J-GLOBAL ID：200903027668860274

半導体レーザユニット

発明者： 高森 晃 ,  小河 晴樹 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-215845
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064470
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 熱抵抗の低い半導体レーザユニットを提供する。【構成】 シリコン基板101と半導体レーザチップ102の間のメッキ層108の膜厚を10μm以上にする。さらにメッキ層108の面積をレーザチップ102のボンディング面積よりも大きくする。これにより、レーザチップ102からの発熱を効率よくシリコン基板101に伝えることができる。

請求項（抜粋）：

受光素子を有するシリコン基板と、前記シリコン基板上にメタル層を介して配置された半導体レーザチップと、前記導体レーザから出射するレーザ光を反射するミラーとを備え、前記レーザチップは実装後の熱抵抗が45°C/W以下を必要とするものであり、前記メタル層の熱伝導率はシリコンよりも大きく、その厚みは10μm以上であることを特徴とする半導体レーザユニット。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/30 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-210163   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-278593
  
• 特開昭61-179589
  
• 特開昭63-160292