特許

J-GLOBAL ID：200903027671285345

CVD装置を用いたZrN膜の形成方法

発明者： ド・ヒョ・キム
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214509
公開番号（公開出願番号）：特開平10-088353
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1998年04月07日
要約：

【要約】【課題】 薄膜の膜厚を減少させ、より安定した薄膜が得られるように、CVD装置を用いたZrN膜の形成方法を提供すること。【解決手段】 CVDのソースとして、Zr[N(CH3)2]4、Zr[N(C2H5)2]4、Zr[N(CH3)(C2H5)]4を使用し、そのソースに気化用ガスを供給して気体状態にし、これを前記チェンバー内に供給し、同時に、CVD用反応ガスをチェンバー内に供給して前記基板にZrN膜を形成する。

請求項（抜粋）：

CVD装置のチャンバー内に基板を入れ;ソースとして、Zr[N(CH3)2]4、Zr[N(C2H5)2]4、Zr[N(CH3)(C2H5)]4を用意し;前記ソースに気化用ガスを供給して前記ソースを気体状態にし、これを前記チャンバー内に供給し;CVD用反応ガスをチャンバー内に供給して前記基板にZrN膜を形成する;ことを特徴とするCVD装置を用いたZrN膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-215042
  
• Al薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-153639   出願人：川崎製鉄株式会社