特許
J-GLOBAL ID:200903027671285345
CVD装置を用いたZrN膜の形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-214509
公開番号(公開出願番号):特開平10-088353
出願日: 1997年08月08日
公開日(公表日): 1998年04月07日
要約:
【要約】【課題】 薄膜の膜厚を減少させ、より安定した薄膜が得られるように、CVD装置を用いたZrN膜の形成方法を提供すること。【解決手段】 CVDのソースとして、Zr[N(CH3)2]4、Zr[N(C2H5)2]4、Zr[N(CH3)(C2H5)]4を使用し、そのソースに気化用ガスを供給して気体状態にし、これを前記チェンバー内に供給し、同時に、CVD用反応ガスをチェンバー内に供給して前記基板にZrN膜を形成する。
請求項(抜粋):
CVD装置のチャンバー内に基板を入れ;ソースとして、Zr[N(CH3)2]4、Zr[N(C2H5)2]4、Zr[N(CH3)(C2H5)]4を用意し;前記ソースに気化用ガスを供給して前記ソースを気体状態にし、これを前記チャンバー内に供給し;CVD用反応ガスをチャンバー内に供給して前記基板にZrN膜を形成する;ことを特徴とするCVD装置を用いたZrN膜の形成方法。
IPC (4件):
C23C 16/34
, C23C 16/18
, H01L 21/285
, H01L 21/3205
FI (4件):
C23C 16/34
, C23C 16/18
, H01L 21/285 C
, H01L 21/88 M
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開昭63-215042
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Al薄膜の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-153639
出願人:川崎製鉄株式会社
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