特許

J-GLOBAL ID：200903027676494740

アモルファスカーボン層の高温堆積のための方法

発明者： マーティン ジェイ シモンズ ,  ヨガナンド エヌ. サリパリ ,  クワンダック ダグラス リー ,  ポク フェン キム ,  ヴィスウェスウォーレン シヴァラマックリシュナン ,  ウェンディー エイチ. イェー ,  ジョセフィーネ ジュフェイ チャン ルー ,  アミール アルバヤティ ,  デレック アール. ウィッティー ,  イシェム マサッド
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  池田 成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-259903
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135439
出願日： 2008年10月06日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：

【課題】 改善されたステップカバレージを有するアモルファスカーボン膜を高温堆積するための方法を提供すること。【解決手段】 一実施形態では、アモルファスカーボン膜を堆積するための方法は、処理チャンバに基板を準備し、500°Cよりも高い温度に上記基板を加熱し、上記加熱された基板を含む上記処理チャンバ内へ炭化水素化合物及び不活性ガスを含むガス混合物を供給し、上記加熱された基板上に、約100メガパスカル(MPa)の引張力と約100メガパスカル(MPa)の圧縮力との間の応力を有するアモルファスカーボン膜を堆積することを含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

アモルファスカーボン膜を堆積するための方法において、 処理チャンバに基板を準備するステップと、 500°Cよりも高い温度に上記基板を加熱するステップと、 上記加熱された基板を含む上記処理チャンバ内へ炭化水素化合物及び不活性ガスを含むガス混合物を供給するステップと、 上記加熱された基板上に、約100メガパスカル(MPa)の引張力と約100メガパスカル(MPa)の圧縮力との間の応力を有するアモルファスカーボン膜を堆積するステップと、 を備えた方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/26

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/26

Fターム (20件)：

4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045BB19 ,  5F045DA69 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EK26

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-278249   出願人：エルピーダメモリ株式会社