特許

J-GLOBAL ID：200903027678834506

樹脂封止半導体装置

発明者： 天野 彰 ,  降旗 博明 ,  伊藤 博史 ,  野崎 克幸
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-166174
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359326
出願日： 2001年06月01日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】樹脂封止した半導体装置において、侵入した水分中の金属イオンによる腐食劣化等を防止する。【解決手段】メサ型チップ17の表面保護膜103中に陰イオンを捕捉する陰イオン交換樹脂と陽イオンを捕捉する陽イオン交換樹脂とを均一に分散させる。特に、陰イオン交換樹脂を陽イオン交換樹脂の倍量配合して、pH8〜10に制御する。

請求項（抜粋）：

樹脂封止された半導体装置において、シリコン半導体表面上に、樹脂を通して侵入する水分中の陰イオンを捕獲するイオン交換体と、陽イオンを捕獲するイオン交換体とを有することを特徴とする樹脂封止半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 23/30 R ,  H01L 23/30 D

Fターム (3件)：

4M109AA01 ,  4M109EC01 ,  4M109EC20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路パッケージ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-161119   出願人：三菱電機株式会社