特許

J-GLOBAL ID：200903027713836681

半導体装置のパッケージとその製造方法

発明者： 永野 孝浩
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 大塚 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317791
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145200
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】半導体装置のパッケージの小形化と容易な実装方法を採用できるパッケージの構造とその製造方法を提供する。【解決手段】ウエハ状の半導体基板1に一括処理で形成した第1のバンプ2の頭部と所定の導体配線パターン以外の部分にメッキ形成可能な絶縁層3を形成し、第1のバンプ2の頭部に連続して形成されためっき配線導体5の電極部に外部接続端子として第2のバンプ7を設けて、配線基板にフェースダウン・ソルダリフロー実装できるように構成した。

請求項（抜粋）：

半導体基板に作り込まれた集積回路の電極部分に設けられた複数の第1のバンプと、該複数の第1のバンプの頭部と所定の導体配線パターン以外の部分に形成されためっき形成可能な材料による絶縁層と、前記複数の第1のバンプの頭部と一体化接続されためっき配線導体と、該めっき配線導体の外部回路接続用の電極部分に外部端子として形成された第2のバンプとを備えた半導体装置のパッケージ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 Q

引用特許：

審査官引用 (1件)

• バンプ形成方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-223351   出願人：富士通株式会社