特許
J-GLOBAL ID：200903027730315830
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011222
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209495
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 発光面側に設けられる電極による光の遮断を極力抑制し、外部発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上に積層され第1および第2導電形の半導体層(n形層3、p形層5)を含む半導体積層部2〜5と、該半導体積層部の第1導電形の半導体層に接続して設けられる第1の電極(p側電極8)と、前記半導体積層部の第2導電形の半導体層に接続して設けられる第2の電極(n側電極9)とからなり、前記第1の電極が設けられる面から光を取り出す半導体発光素子であって、前記第1の電極に空隙部8aが設けられている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に積層され第1および第2導電形の半導体層を含む半導体積層部と、該半導体積層部の第1導電形の半導体層に接続して設けられる第1の電極と、前記半導体積層部の第2導電形の半導体層に接続して設けられる第2の電極とからなり、前記第1の電極が設けられる面から光を取り出す半導体発光素子であって、前記第1の電極に空隙部が設けられてなる半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
