特許

J-GLOBAL ID：200903027754946610

誘電体薄膜およびその製法並びに薄膜コンデンサ

発明者： 永仮 尚謙 ,  神垣 耕世 ,  南部 信次
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310389
公開番号（公開出願番号）：特開平9-202621
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】測定周波数1kHz(室温)での比誘電率が2500以上、100MHz(室温)での比誘電率が2000以上の誘電体薄膜を提供する。【解決手段】金属元素としてPb、Mg、NbおよびTiを含むペロブスカイト型複合酸化物結晶からなる膜厚2μm以下の誘電体薄膜であって、測定周波数1KHz(室温)での比誘電率が3000以上の誘電体薄膜であり、ペロブスカイト型複合酸化物結晶の組成が(1-x)Pb(Mg<SB>1/3 </SB>Nb<SB>2/3 </SB>)O<SB>3 </SB>-xPbTiO<SB>3 </SB>(0<x≦0.35)で表され、測定周波数100MHz(室温)での比誘電率が2500以上である。

請求項（抜粋）：

金属元素としてPb、Mg、NbおよびTiを含むペロブスカイト型複合酸化物結晶からなる膜厚2μm以下の誘電体薄膜であって、測定周波数1KHz(室温)での比誘電率が3000以上であることを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (6件)：

C01G 33/00 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 313 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/12 400

FI (6件)：

C01G 33/00 A ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 313 Z ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/12 400 ,  H01G 4/06 102

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜コンデンサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050393   出願人：松下電器産業株式会社
• 誘電体薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-069401   出願人：株式会社村田製作所