特許

J-GLOBAL ID：200903027814157076

不揮発性メモリセル及びその製造方法

発明者： 井口 勝次
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148331
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074272
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 信頼性が向上し、微細化に適し、しかも製造が容易な不揮発性メモリセル及びその製造方法の提供。【構成】 極薄膜の多結晶シリコン膜から形成された浮遊ゲート4を備えた不揮発性メモリセルが開示される。このメモリセルは、平滑な表面を有する極めて薄い浮遊ゲート4を有することにより、浮遊ゲート4のパターニングに際して生じる従来の問題が解決される。また、このメモリセルは、素子の集積化に適している。特に、浮遊ゲート4がノンドープ多結晶シリコン膜から形成されている場合、書き込み速度等のデバイス特性が著しく改善される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板中に形成されたソース領域及びドレイン領域と、該半導体基板上に形成されている第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成されている浮遊ゲートと、該浮遊ゲート上に形成されている第2絶縁膜と、該第2絶縁膜上に形成されている制御ゲートと、を備える不揮発性メモリセルであって、該浮遊ゲートは、非晶質シリコン膜から結晶化された多結晶シリコン膜から形成されており、しかも、該浮遊ゲートの厚さは55nm以下である、不揮発性メモリセル。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-239180
  
• 特開平3-196673
  
• 半導体不揮発性記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-058654   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-031467