特許

J-GLOBAL ID：200903027816381771

光起電力素子

発明者： 伊藤 学
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-145989
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343990
出願日： 2001年05月16日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】高い変換効率を維持しつつ、アモルファスシリコンに比べて、光誘起による性能劣化のない構成の光起電力素子(薄膜シリコン太陽電池)を提供する。特に、タンデム構造による太陽光エネルギーの有効利用に適した構成のpin接合の薄膜シリコン太陽電池に適用する上で好適な光起電力素子を提供する。【解決手段】n層,i層,p層は、アモルファスシリコン層または多結晶シリコン層により形成され、最上部(光の入射側)のi層を構成するアモルファスシリコン層が、粒径1nm〜15nmの微細な結晶シリコン粒がアモルファスマトリックス中に分散した構造のアモルファスシリコン層を用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に、n層(またはp層),i層,p層(またはn層)からなるタンデム構造を複数層積み上げてなる構成の光起電力素子において、n層,i層,p層は、アモルファスシリコン層または多結晶シリコン層により形成され、最上部(光の入射側)のi層を構成するアモルファスシリコン層が、粒径1nm〜15nmの微細な結晶シリコン粒がアモルファスマトリックス中に分散した構造であることを特徴とする光起電力素子。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 Y

Fターム (31件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030BA45 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030LA16 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AA11 ,  5F045AA19 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA18 ,  5F051CA03 ,  5F051CA16 ,  5F051CB12 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051FA03 ,  5F051FA08 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-039913   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭63-157484
  
• 特開昭55-125680