特許
J-GLOBAL ID：200903027824151009
電子デバイス用基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-072076
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235520
出願日： 2007年03月20日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】シリコン電界効果トランジスタの性能を凌駕するとともに、カーボンナノチューブの問題点を克服する革新的かつ実用的な電子デバイス用基板を提供することにある。【解決手段】シリコン基板1上に形成された第1の酸化シリコン膜2と、第1の酸化シリコン膜2の上に配置される第2の酸化シリコン膜3と、第2の酸化シリコン膜3上に配置されるグラファイト膜4とを有するようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたグラファイト膜とを有し、
前記グラファイト膜は、前記絶縁膜を介して前記基板に接着された後に薄膜化された膜である
ことを特徴とする電子デバイス用基板。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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