特許
J-GLOBAL ID：200903034689372918

グラフェントランジスタ及びその製造方法

発明者：
廣瀬 真一

廣瀬 真一 について

, 
岩井 大介

岩井 大介 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-040775
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205272
出願日： 2007年02月21日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】 グラフェントランジスタ及びその製造方法に関し、通常の安定したカーボンナノチューブの成長方法により作成したグラフェンを用いてトランジスタを構成する。【解決手段】 カーボンナノチューブの成長過程においてその先端に形成されたグラフェン3を接着作用を有する絶縁体2によって基板1に貼り付け、グラフェン3をチャネルとしてその一方の端部にソース電極4を形成し且つ他方の端部にドレイン電極5を形成するとともに、ゲート電極6を設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
カーボンナノチューブの成長過程においてその先端に形成されたグラフェンを接着作用を有する絶縁体によって基板に貼り付け、前記グラフェンをチャネルとしてその一方の端部にソース電極を形成し且つ他方の端部にドレイン電極を形成するとともに、ゲート電極を設けたことを特徴とするグラフェントランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
Fターム (21件)：
5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (4件)
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