特許
J-GLOBAL ID：200903027850835447
微細パターンおよびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232417
公開番号（公開出願番号）：特開平11-072916
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高エネルギー線の照射により現像液に対して不溶になる感光性材料を用いた微細パターンおよびその形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に、Rがメチル基もしくはt-ブチル基、nが4から10までの整数とした式(1)で示され、かつ式(1)中のXが以下の式(2)、式(3)、式(4)いずれかであるp-アルキルカリックスアレーン(メタ)アクリレートからなる薄膜を形成する第1の工程と、前記薄膜の所望の領域に高エネルギー線を照射する第2の工程と、前記薄膜の前記所望の領域以外を現像液に溶解させて前記薄膜の前記所望の領域からなる微細パターンを形成する第3の工程とから構成される微細パターンの形成方法。
請求項（抜粋）：
高エネルギー線が照射された、Rがメチル基もしくはt-ブチル基,nが4から10までの整数とした以下の化1で示され、かつ化1中のXが以下の化2,化3,化4いずれかであるp-アルキルカリックスアレーン(メタ)アクリレートから構成されたことを特徴とする微細パターン。
IPC (3件)：
G03F 7/038 505
, G03F 7/027 502
, H01L 21/027
G03F 7/038 505
, G03F 7/027 502
, H01L 21/30 502 R
