特許

J-GLOBAL ID：200903027898305881

半導体素子

発明者： 池田 真 ,  久保田 高史
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 田中 大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-090315
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363556
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】 液晶表示素子や半導体素子を製造する際にアルミニウム合金薄膜を電極層として利用する場合、いわゆるキャップ層を備えなくても、優れた低抵抗オーミックコンタクト特性を実現できる半導体素子を提供する。【解決手段】 基板と、該基板上に形成された半導体層と、配線又は電極を構成する電極層とを備えた半導体素子において、半導体層と電極層とが直接接合される部分を有しており、該電極層は、ニッケル、コバルト、鉄などの遷移金属を含有したアルミニウム合金薄膜で形成されているものとした。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成された半導体層と、配線又は電極を構成する電極層とを備えた半導体素子において、 半導体層と電極層とが直接接合される部分を有しており、 該電極層は、遷移金属を含有したアルミニウム合金薄膜で形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/28 301R ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/88 N

Fターム (30件)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  4M104HH15 ,  5F033HH10 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ38 ,  5F033LL09 ,  5F033PP15 ,  5F033VV15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX07 ,  5F033XX29 ,  5F033XX33 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110GG02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HM18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-283306   出願人：三井金属鉱業株式会社