特許

J-GLOBAL ID：200903042745214142

アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材

発明者： 久保田 高史 ,  渡辺 弘
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 田中 大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-283306
公開番号（公開出願番号）：特開2003-089864
出願日： 2001年09月18日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 ITO膜と同程度の電極電位を有し、シリコンが拡散することなく、比抵抗が低く、耐熱性に優れたアルミニウム合金薄膜を提供することを目的とする。【解決手段】 炭素を含有したアルミニウム合金薄膜において、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも1種以上の元素を0.5〜7.0at%と、炭素を0.1〜3.0at%とを含有し、残部がアルミニウムであることを特徴するものとした。そして、更に0.5〜2.0at%のシリコンを更に含むアルミニウム合金薄膜とした。

請求項（抜粋）：

炭素を含有したアルミニウム合金薄膜において、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも1種以上の元素を0.5〜7.0at%と、炭素を0.1〜3.0at%とを含有し、残部がアルミニウムであることを特徴するアルミニウム合金薄膜。

IPC (8件)：

C23C 14/14 ,  C22C 21/00 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (8件)：

C23C 14/14 B ,  C22C 21/00 N ,  C23C 14/34 A ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 L ,  H01L 21/88 N

Fターム (28件)：

2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092NA28 ,  4K029AA09 ,  4K029BA23 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104DD40 ,  4M104HH03 ,  4M104HH16 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033LL01 ,  5F033LL02 ,  5F033LL09 ,  5F033PP15 ,  5F033VV15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-240738
  
• アルミニウム合金薄膜、ターゲット材及び薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-146701   出願人：三井金属鉱業株式会社