導体およびゲート電極構造の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：合田潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-137702
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055983
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体ポリサイド処理における集塊および転移を防止する。【構成】半導体基板5上にドープ・ポリシリコン層15を形成し、ドープ・ポリシリコン層の上に窒素含有導電層20を形成し、窒素含有導電層に含まれる窒素がこの導電層の熱安定性を改善し、窒素含有導電層およびドープされたポリシリコン層をパターニングして導体25を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板を設ける工程と、(b)前記半導体基板上にドープ・ポリシリコン層を形成する工程と、(c)前記ドープ・ポリシリコン層上に窒素含有導電層を形成する工程と、(d)前記窒素含有導電層およびドープ・ポリシリコン層をパターニングして導体を形成する工程を含む、ことを特徴とする導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-204743
特開昭63-204743
特開平1-037036

全件表示

前のページに戻る