特許
J-GLOBAL ID：200903027929477252
半導体デバイスの導電層、MOSFET及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-191544
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211668
出願日： 1994年08月15日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】高性能、高集積度、高信頼度のMOSFETに適した半導体デバイスの導電層、該導電層を含んで成るMOSFET、及びそれらの製造方法の提供。【構成】シリコン基板21上に形成したソース・ドレイン領域26及びゲート電極24と、ソース・ドレイン領域及びゲート電極上に形成したTiSi2層31と、その上に形成したTiSiN層と、その上に形成したTiN層32とを含んで成る半導体デバイスの導電層、該半導体デバイスの導電層を含んで成るMOSFET、それらの製造方法から成る。なお、Si層上にTi層を堆積後、比較的低温で熱処理してTiSi層を形成してから、窒素ガス中で再度熱処理してTiSi2、TiSiN、TiNの各層を形成する2段階の熱処理を施すことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した不純物領域と、上記不純物領域上に形成した金属ケイ化物層と、上記金属ケイ化物層上に形成した金属ケイ化窒化物層と、上記金属ケイ化窒化物層上に形成した金属窒化物層とを、上記順序に積層した構造を含んで成る半導体デバイスの導電層。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/78
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 S
