特許
J-GLOBAL ID：200903027936383476
LSIデバイス研磨用研磨材組成物及び研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373777
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114211
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 LSIデバイス製造工程において面精度と研磨速度の両立並びに研磨速度の安定化を高いレベルで実現するLSIデバイス研磨研磨材組成物および研磨方法を提供すること。【解決手段】 水及びカップリング剤で表面処理された酸化セリウムを含む研磨材組成物であって、前記酸化セリウムの二次粒子サイズ分布において、最大値が5μm以下、平均値が0.01〜1.0μmであるLSIデバイス研磨用研磨材組成物。この研磨材組成物を用いたLSIデバイスの研磨方法。
請求項（抜粋）：
水及びカップリング剤で表面処理された酸化セリウムを含む研磨材組成物であって、前記酸化セリウムの二次粒子サイズ分布において、最大値が5μm以下、平均値が0.01〜1.0μmであることを特徴とするLSIデバイス研磨用研磨材組成物。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622
, C09K 3/14 550
H01L 21/304 622 B
, C09K 3/14 550 D
