特許
J-GLOBAL ID：200903027950269961
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202081
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025285
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 十分なリードマージンを有しかつ正確なベリファイ動作を行なうことが可能なセンスアンプを備えたフラッシュメモリを提供する。【解決手段】 正の温度特性を有する定電流源18と、負の温度特性を有する定電流源30とを設ける。センスアンプ24では、正の温度特性を有する電流I5と負の温度特性を有する電流I4とを合成して温度特性を持たないベリファイ用のセンスアンプ負荷電流I6を生成する。一方、正の温度特性を有する電流I3と電源電圧Vcc依存性を有する電流I7と合成してノーマルリード用のセンスアンプ負荷電流I8を生成する。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリセルと、定電流を発生する定電流源と、前記不揮発性メモリセルのしきい値電圧を検知するセンスアンプとを備え、前記センスアンプは、リード動作時およびベリファイ動作時に前記定電流に応じて負荷電流を供給する負荷電流供給手段と、前記不揮発性メモリセルに流れるメモリセル電流を前記負荷電流と比較する比較手段とを含む、不揮発性半導体記憶装置。
Fターム (3件)：
5B025AD06
, 5B025AD09
, 5B025AE08
