特許
J-GLOBAL ID：200903027956474290
半導体結晶加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003763
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204000
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】スライス後の後工程において、個々のウェハの識別を容易にし、結晶成長ロット管理・ウェハ管理の簡略化を図ることを可能とする。【解決手段】半導体結晶の成長が完了した時点で、成長ロット番号及びウェハ番号を含んで成るマーキング情報と結晶長等の成長ロット情報とを予め記憶装置3に格納しておき、半導体結晶のスライス加工時に、前記マーキング情報に基づいてスライス直後のウェハ表面にマーキング装置23により識別パターンを形成し、一本の半導体結晶が全てウェハ状にスライスされた時点で、ウェハ取得枚数等のスライス情報をスライス加工装置1から前記記憶装置3に取り込んで、当該結晶成長ロット情報の内容を更新し、結晶在庫とウェハ在庫を管理する。
請求項（抜粋）：
半導体結晶の成長が完了した時点で、成長ロット番号及びウェハ番号を含んで成るマーキング情報と結晶長等の成長ロット情報とを予め記憶装置に格納しておき、半導体結晶のスライス加工時に、前記マーキング情報に基づいてスライス直後のウェハ表面にマーキング装置により識別パターンを形成し、一本の半導体結晶が全てウェハ状にスライスされた時点で、ウェハ取得枚数等のスライス情報をスライス加工装置から前記記憶装置に取り込んで、当該結晶成長ロット情報の内容を更新し、結晶在庫及びウェハ在庫を管理することを特徴とする半導体結晶加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 33/04
, H01L 21/02 A
