特許

J-GLOBAL ID：200903027959664774

半導体製造方法とその装置、並びに半導体素子

発明者： 笹澤 秀明 ,  中田 俊彦 ,  二宮 隆典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-011738
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214363
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 電気的ノイズや微弱なプラズマ発光に影響されることなく、プラズマ処理上での終点時間位置を高精度に求めつつ、半導体を製造すること。【解決手段】 被処理体7へのプラズマ処理中に、プラズマ4中から検出された特定波長プラズマ発光が素子11で高感度に光電変換された後、電気的ノイズの混入が防止されるべく、変換器14で直ちにA/D変換された状態としてディジタル伝送された上、そのディジタル信号の時間変化からプラズマ処理の終点が検出された時点で、被処理体7に対するプラズマ処理が停止制御されるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

被処理体がプラズマ処理されている際に、プラズマ中から選択的に検出された、少なくとも1つの特定波長のプラズマ発光が光電変換された後、A/D変換された状態のディジタル信号としてディジタル伝送された上、該ディジタル信号の時間変化からプラズマ処理の進行状況が監視されている状態で、該進行状況よりプラズマ処理の終点が検出された時点で、上記被処理体に対するプラズマ処理が停止制御されるようにした半導体製造方法であって、プラズマ発光は高感度に光電変換された上、該光電変換後のアナログ信号は伝送路長が最短に抑えられた状態としてA/D変換されるようにした半導体製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 21/302 E ,  H05H 1/46 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• エッチング時間設定方法及びエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-338201   出願人：株式会社リコー
• プラズマ処理の終点検出方法及び装置、並びに本検出方法及び装置を用いた半導体製造方法及び装置、並びに本検出方法及び装置を用いて製造された半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-272318   出願人：株式会社日立製作所
• 穀類計量機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-053144   出願人：株式会社佐竹製作所
• 特開平1-226154