特許
J-GLOBAL ID：200903027986478435

二次電池及びその製造方法

発明者：
周 豪慎

周 豪慎 について

, 
本間 格

本間 格 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-400949
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166325
出願日： 2003年12月01日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【要約書】 【課題】 ポーラス構造のフレームワークの中に黒鉛カーボンの微結晶を有する三次元構造を持つメソポーラスカーボンの製造に際して、初期充・放電サイクルにおいて一定の不可逆容量によりロスが有っても、数サイクル後には高い容量を維持させ、初期充・放電サイクルを除き高い可逆率(R>90%)を維持しているカーボン系電極材料を備えた二次電池を得る。【解決手段】 3次元的に均一な細孔が規則的に配列したメソポーラスカーボンからなる電極で構成され、細孔の平均直径が2nm〜6nmであり、ポーラス構造のフレームワークの中に、数ナノオーダーのグラファイト(黒鉛)の微細結晶を備えている二次電池。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
3次元的に均一な細孔が規則的に配列したメソポーラスカーボンからなる電極で構成されていることを特徴とする二次電池。
IPC (5件)：
H01M4/02 ,  C04B35/52 ,  H01M4/04 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40
FI (5件)：
H01M4/02 D ,  H01M4/04 A ,  H01M4/58 ,  H01M10/40 Z ,  C04B35/52 A
Fターム (72件)：
4G132AA02 ,  4G132AA06 ,  4G132AA13 ,  4G132AA36 ,  4G132AA67 ,  4G132AA74 ,  4G132AA75 ,  4G132BA07 ,  4G132CA04 ,  4G132CA05 ,  4G132CA06 ,  4G132CA12 ,  4G132CA17 ,  4G132CA18 ,  4G132GA04 ,  4G132GA06 ,  4G132GA21 ,  4G132GA23 ,  4G132GA25 ,  4G132GA48 ,  4G146AA01 ,  4G146AA02 ,  4G146AA19 ,  4G146AB05 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AC04A ,  4G146AC04B ,  4G146AC06A ,  4G146AC06B ,  4G146AC08A ,  4G146AC08B ,  4G146AC09A ,  4G146AC09B ,  4G146AC19A ,  4G146AC19B ,  4G146AD11 ,  4G146AD25 ,  4G146BA11 ,  4G146BB05 ,  4G146BB10 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146CA01 ,  4G146CA20 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AL06 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ12 ,  5H029CJ23 ,  5H029CJ28 ,  5H029DJ13 ,  5H029DJ17 ,  5H029EJ05 ,  5H029HJ06 ,  5H029HJ07 ,  5H029HJ19 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CB07 ,  5H050DA03 ,  5H050FA09 ,  5H050FA19 ,  5H050GA02 ,  5H050GA12 ,  5H050GA23 ,  5H050HA06 ,  5H050HA07 ,  5H050HA19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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