特許

J-GLOBAL ID：200903028013457732

プラズマエッチング装置

発明者： 上田 陽一 ,  隼田 英紀
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-239822
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107102
出願日： 1994年10月04日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【構成】反応容器11と、この反応容器内に設けられた上部電極12および試料台を兼ねた下部電極17と、該上部電極12と該下部電極17との間に高周波を印加する手段とを備えたプラズマエッチング装置において、前記上部電極が高純度シリコンで形成されるとともに前記上部電極を被覆する石英製カバー14を備える。【効果】パーティクルやメタルコンタミが少なくしかも安定的に高速のポリシリコンのエッチングを可能とする。

請求項（抜粋）：

反応容器と、この反応容器内に設けられた上部電極および試料台を兼ねた下部電極と、該上部電極と該下部電極との間に高周波を印加する手段とを備えたプラズマエッチング装置において、前記上部電極が高純度シリコンで形成されるとともに前記上部電極を被覆する石英製カバーを備えることを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマエッチング用電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-350446   出願人：日清紡績株式会社
• 特開昭58-213427
  
• 特開平3-291928