特許
J-GLOBAL ID：200903028015272730

半導体センサの製造方法

発明者：
宮下 治三

宮下 治三 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 中西 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-225900
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043585
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、一対の絶縁性基板と導電性基板から複数の半導体センサを製造する際に、隣接する半導体センサ間の接合すべきでない場所での基板同士の接合を効果的に防止して陽極接合を行い、種々の構造の半導体センサを高い歩留まり製造可能な半導体センサの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 少なくとも一方の基板に複数の枠状の凸部が設けられた一対の絶縁性基板と導電性基板とを陽極接合法により張り合わせた後、切断し、導電性基板と絶縁性基板とで囲まれた空間を有する半導体センサを複数個同時に製造する半導体センサの製造方法であって、前記陽極接合法による張り合わせ前に、前記絶縁性基板及び前記導電性基板の少なくとも一方の基板の接合面側で、前記枠状凸部の外側の位置に、前記枠状凸部の高さ以下の高さを有する支持体を設けておくことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも一方の基板に複数の枠状の凸部が設けられた一対の絶縁性基板と導電性基板とを陽極接合法により張り合わせた後、切断し、導電性基板と絶縁性基板とで囲まれた空間を有する半導体センサを複数個同時に製造する半導体センサの製造方法であって、前記陽極接合法による張り合わせ前に、前記絶縁性基板及び前記導電性基板の少なくとも一方の基板の接合面側で、前記枠状凸部の外側の位置に、前記枠状凸部の高さ以下の高さを有する支持体を設けておくことを特徴とする半導体センサの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/84 ,  G01L 9/12 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125
FI (4件)：
H01L 29/84 Z ,  G01L 9/12 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125
Fターム (19件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055DD07 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA14 ,  4M112CA16 ,  4M112DA02 ,  4M112DA12 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13
引用特許：
審査官引用 (3件)

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