特許

J-GLOBAL ID：200903028032707707

透明導電性膜のドライエッチング方法

発明者： 竹井 日出夫 ,  川村 裕明 ,  黒田 高廣 ,  太田 賀文 ,  中村 久三
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252695
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097190
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 基板上の透明導電性膜へのエッチングレートを800〜900Å/minまで向上させたドライエッチング方法を提案する。【構成】 基板上の透明導電性膜にエッチングガスの高周波プラズマを用いてエッチングする際、エッチングガスとしてヨウ化水素ガスにアルゴンガスを0.5〜50vol%混合したエッチングガスを用いるドライエッチング方法。【効果】 従来のドライエッチング法のようなメタン等の炭化水素系プラズマを使用していないから、従来法のようなエッチング処理室或いは電極上にカーボン系のポリマーの堆積がないので、エッチング処理室のクリーニングを頻繁に行うことなく、透明導電性膜へのエッチングレートを向上させることが出来ると共に、安定したエッチングレートが得られる。

請求項（抜粋）：

ハロゲンガス或いはハロゲン化物ガスを含むエッチングガスの高周波プラズマを利用して、基板上のSnO2或いはIn2O3或いはZnOを主成分とする透明導電性膜をエッチング加工する方法において、前記エッチングガスはアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスから成る群より選択された少なくとも1種を0.5〜50vol%含むガスであることを特徴とする透明導電性膜のドライエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 31/04 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ITOのドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-242493   出願人：日新電機株式会社