特許
J-GLOBAL ID：200903028040381144
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295433
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153931
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 サファイア基板の上に窒化ガリウム系化合物半導体がレーザ素子となる構造で積層されたウェーハから半導体層に光共振面を実現できるレーザ素子の製造方法を提供する【構成】 サファイア基板の(0001)面の表面に窒化ガリウム系化合物半導体をレーザ素子の構造に積層した後、そのサファイア基板を各側面の内のいずれかの面方位で割ることにより半導体レーザ素子の光共振面を作製する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板の(0001)面の表面に窒化ガリウム系化合物半導体をレーザ素子の構造に積層した後、そのサファイア基板を【数1】【数2】【数3】【数4】【数5】【数6】面の内のいずれかの面方位で割ることにより半導体レーザ素子の光共振面を作製することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法。
引用特許：
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