特許

J-GLOBAL ID：200903028043157849

FIB加工方法及びFIB加工位置の位置決め方法

発明者： 鈴木 直久 ,  田中 智子 ,  中渡瀬 宏 ,  山内 義隆
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181705
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015570
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 FIB画像上で特定箇所の位置を従来よりも精度よく確実に決定することにより、精度の高い断面加工を行うこと。【解決手段】 例えば光学顕微鏡で半導体サンプル中の特定箇所を観察し、この画像に基づいて前記特定箇所直上に光を透過するシリコン酸化膜等のデポジション膜をライン状に付ける。光学顕微鏡で再度特定箇所をデポジション膜と一緒に観察するが、その際デポジション膜は光を透過するため、特定箇所がライン状に付けたデポジション膜のどのライン若しくはスペースにあるかを確認し、確認した特定箇所が位置するデポジション膜のライン或いはスペースを狙ってFIBによる断面加工を行う。

請求項（抜粋）：

FIB画像では視認できない半導体サンプルの特定箇所をFIBにより断面加工する際の前記加工位置を決めるFIB加工位置の位置決め方法において、前記半導体サンプルの特定箇所の直上を含む領域に形成された光を透過する縞状のデポジション膜と前記特定箇所との相対的な位置関係に基づいて、前記特定箇所の断面加工位置を決めることを特徴とするFIB加工位置の位置決め方法。

IPC (6件)：

H01L 21/66 ,  H01J 37/31 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/3065 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/302

FI (7件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/66 C ,  H01J 37/31 ,  H01J 37/317 D ,  G01R 1/06 F ,  H01L 21/302 D ,  G01R 31/28 L

Fターム (24件)：

2G011AB00 ,  2G011AC00 ,  2G011AE00 ,  2G032AA00 ,  2G032AB20 ,  2G032AF07 ,  2G032AL00 ,  4M106AA02 ,  4M106BA03 ,  4M106BA12 ,  4M106CA50 ,  4M106CA51 ,  4M106DH50 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ38 ,  5C034DD09 ,  5F004AA16 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08 ,  9A001BB05 ,  9A001JJ48 ,  9A001KK16 ,  9A001LL02 ,  9A001LL05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体単結晶中の結晶欠陥観察用試料作製方法および結晶欠陥観察方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357983   出願人：信越半導体株式会社