特許
J-GLOBAL ID：200903074410995980
半導体単結晶中の結晶欠陥観察用試料作製方法および結晶欠陥観察方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-357983
公開番号（公開出願番号）：特開平10-197423
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 本発明は、微小結晶欠陥の電子顕微鏡観察に当たり、結晶欠陥位置を特定するとともに、電界や化学的エッチングの影響を受けていない、半導体単結晶中の結晶欠陥をありのままの状態で観察を行える試料の作製方法および観察方法を提供する。【解決手段】 半導体単結晶中の結晶欠陥を観察するための試料の作製方法であって、半導体単結晶の表面に結晶欠陥位置を特定するためのパターンを形成する工程と、このパターンを形成した半導体単結晶を、結晶欠陥観察装置により、該パターンを参照しながら半導体単結晶中の結晶欠陥を確認、位置決めする工程と、該半導体単結晶中の特定された結晶欠陥を含んだ部分を該パターンを参照して切り出す工程と、切り出された単結晶中の結晶欠陥部の周囲を収束イオンビーム装置により除去する工程とからなる方法。および、この方法で作製された結晶欠陥観察用試料を透過型電子顕微鏡によって観察する方法。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶中の結晶欠陥を観察するための試料の作製方法であって、半導体単結晶の表面に結晶欠陥位置を特定するためのパターンを形成する工程と、このパターンを形成した半導体単結晶を、結晶欠陥観察装置により、該パターンを参照しながら半導体単結晶中の結晶欠陥を確認、位置決めする工程と、該半導体単結晶中の特定された結晶欠陥を含んだ部分を該パターンを参照して切り出す工程と、切り出された単結晶中の結晶欠陥部の周囲を収束イオンビーム装置により除去する工程とからなる、ことを特徴とする半導体単結晶中の結晶欠陥観察用試料作製方法。
IPC (5件)：
G01N 1/28
, C30B 15/00
, C30B 29/06
, G01N 1/32
, H01L 21/66
G01N 1/28 G
, C30B 15/00 Z
, C30B 29/06 Z
, G01N 1/32 B
, H01L 21/66 N
